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J-GLOBAL ID：201302276711262202   整理番号：13A0944584

磁気光学Kerr測定によるAs(Ga,Mn)中の電流誘起分極の観察

Observation of current-induced polarization in(Ga,Mn)As via magneto-optic Kerr measurement

著者 (5件)： Gu Xiaofang (State Key Lab. for Superlattices and Microstructures,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Qian Xuan (State Key Lab. for Superlattices and Microstructures,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Ji Yang (State Key Lab. for Superlattices and Microstructures,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Chen Lin (State Key Lab. for Superlattices and Microstructures,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Zhao Jianhua (State Key Lab. for Superlattices and Microstructures,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 3  ページ： 037801-1-037801-7  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： (Ga,Mn)Asとp-GaAsの電流誘起Kerr回転スペクトルと反射率スペクトルをエネルギーギャップのまわりで磁気光学的Kerr効果による磁場の不存在で測定した。レーザ波長へのKerr回転と反射率の依存性はLorentzianプロファイルを示した。Kerr回転は電流に直線的に依存して,この反射率は電流の平方に直線的に依存した。p-GaAsのKerr回転は(Ga,Mn)Asのものよりはるかに弱くて,それはMnのドーピングが電流誘起スピン分極を強化することを示した。温度へのKerr回転と反射率の依存性についても解析して,両方共にそれらのLorentzianピークの赤色偏位,GaAsの吸収端部として良く知られた挙動を示した。さらに,著者らは,入射ビームの分極方向へのKerr信号の依存性を観察した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *電流発生 ,  光学 ,  磁気光学効果 ,  エネルギーギャップ ,  反射スペクトル ,  回転スペクトル ,  Kerr効果 ,  スピン分極 ,  ドーピング ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *電流誘起 ,  磁気光学 ,  磁気光学的Kerr効果 ,  反射率スペクトル ,  Kerr回転 ,  GaAs

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁気光学 ,  Ga ,  Mn ,  電流誘起 ,  分極 ,  観察