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J-GLOBAL ID:201302277165277534   整理番号:13A1933068

ホウ素ドープグラフェン: スケーラブルでチューナブルなpタイプキャリヤ濃度ドーピング

Boron-Doped Graphene: Scalable and Tunable p-Type Carrier Concentration Doping
著者 (5件):
資料名:
巻: 117  号: 44  ページ: 23251-23257  発行年: 2013年11月07日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ホウ素トリフロリドジエチルエテラート雰囲気中における種々の温度での酸化グラファイトの加熱層間剥離によって,スケーラブルでチューナブルなpタイプキャリヤ濃度ドーピング(ホウ素ドープ)グラフェンを調製できた。そして,これらのホウ素ドープグラフェンを用い,種々のドーピング濃度と酸素還元に対する電極触媒作用,ならびに容量の関連性を調べた。
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分類 (3件):
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原子・分子のクラスタ  ,  炭素とその化合物  ,  電気化学反応 
物質索引 (1件):
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