文献

J-GLOBAL ID：201302277456224012   整理番号：13A0230615

可溶性ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体に基づいたトップゲート型有機電界効果トランジスタの正孔注入層の効果

Effect of Hole-Injection Layer on Top-Gate Organic Field-Effect Transistors Based on Soluble Benzothienobenzothiophene Derivatives

著者 (8件)： MOCHIZUKI Fumio (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MIYATA Yosuke (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  NAGASE Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  IKEDA Masaaki (Nippon Kayaku Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Masaaki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 19th  号： Day 3  ページ： 1129-1132  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  キャリア注入 ,  *短チャネル効果
準シソーラス用語： トップゲート型 ,  正孔注入 ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 可溶性 ,  誘導体 ,  トップゲート型 ,  有機電界効果トランジスタ ,  正孔注入