文献

J-GLOBAL ID：201302277458543603   整理番号：13A0141505

高移動度二次元系におけるマイクロ波誘起磁気抵抗振動の直線偏光依存性

Linear polarization dependence of microwave-induced magnetoresistance oscillations in high-mobility two-dimensional systems

著者 (2件)： LEI X. L. (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  LIU S. Y. (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 20  ページ： 205303.1-205303.5  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度の二次元電子系においてマイクロ波照射による磁気抵抗振動が生じる。ここでは直線偏光マイクロ波照射においてdc電流の磁気抵抗に及ぼす偏光角(θ)の影響を調べた。フォトン支援の磁気抵抗モデルを用いて定式化し,理論的に研究した。磁気抵抗の振動振幅はθを変化させると,敏感に変化した。振動振幅の極値で,θにより5倍磁気抵抗の振幅が変化した。最大の振幅を,0でないθで得た。

シソーラス用語： *磁気抵抗 ,  *マイクロ波照射 ,  *二次元電子ガス ,  *直線偏光 ,  偏光角 ,  角度依存性 ,  定式化 ,  *振動

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高移動度 ,  マイクロ波 ,  誘起 ,  磁気抵抗 ,  直線 ,  偏光依存性