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J-GLOBAL ID：201302277520364664   整理番号：13A1016158

低温で溶液技術を使用する透明アモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸素薄膜トランジスタ

Transparent amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxygen thin film transistors using solution technology at low temperature

著者 (3件)： LI Xifeng (Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, 200072, Shanghai, CHN) ,  LI Qian (Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, 200072, Shanghai, CHN) ,  ZHANG Jianhua (Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, 200072, Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 66  号： 3  ページ： 497-503  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明アモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)を300°C程度の比較的低いアニール温度でスピンコーティング技術を用いて作製したIGZO溶液の特性,α-IGZO膜の光学特性,およびα-IGZO TFTデバイス特性に及ぼすガリウム(Ga)濃度の影響を調べた。α-IGZO薄膜は,均一かつ平滑であった,IGZO膜の二乗平均平方根粗さは0.4未満,透過率は可視波長で80%以上であった。その結果,適切な量のGaの添加およびアニール温度がα-IGZO TFTのデバイス性能を顕著に向上させることを示した。Ga濃度が10.7%に達した時に飽和移動度として0.04cm²V^-1s^-1が得られた。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  溶液成長 ,  *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  スピンコーティング ,  熱処理 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  ガリウム ,  濃度依存性 ,  実効値 ,  表面粗さ ,  透過率 ,  光透過 ,  可視光 ,  移動度 ,  硝酸塩 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  ガラス基板 ,  光透過率 ,  硝酸インジウム ,  硝酸ガリウム ,  *透明アモルファス酸化物半導体 ,  二乗平均平方根

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 2-メトキシエタノール ,  酢酸亜鉛

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  溶液 ,  アモルファス ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸素 ,  薄膜トランジスタ