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J-GLOBAL ID：201302277522765330   整理番号：13A1323038

イオン注入シリカ膜におけるSe関連酸素欠乏中心の光ルミネセンス

Photoluminescence of Se-related oxygen deficient center in ion-implanted silica films

著者 (4件)： ZATSEPIN A.f. (Ural Federal Univ., Mira 19, 620002 Ekaterinburg, RUS) ,  BUNTOV E.a. (Ural Federal Univ., Mira 19, 620002 Ekaterinburg, RUS) ,  PUSTOVAROV V.a. (Ural Federal Univ., Mira 19, 620002 Ekaterinburg, RUS) ,  FITTING H.-j. (Dep. of Physics, Univ. of Rostock, Universitaetsplatz 3, D-18051 Rostock, DEU)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 143  ページ： 498-502  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Se⁺イオンを注入されたSiO₂薄膜の低温時間分解光ルミネセンス(PL)研究の成績を提示した。膜は紫スペクトル領域の強いPLバンドを示したが,これはセレン関連酸素欠乏中心(ODC)バリアントの新しいバリアントの三重項ルミネセンスに起因した。欠陥エネルギー構造の主な特性は,不十分な直接光励起であった。等電子SiODC,GeODCおよびSnODCのスペクトル特性に関する比較から,新しい中心の電子特性における相異はイオンサイズ因子に関連することが分かった。VUV光照射下での優先的なPL励起は,SiO₂励起子からのエネルギー移動に関連することを確立した。Se関連ODCの可能性のあるモデルを考察した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜 ,  *イオン注入 ,  カチオン ,  *セレン化合物 ,  金属イオン ,  励起スペクトル ,  スペクトル ,  エネルギーギャップ ,  *光ルミネセンス ,  不純物準位 ,  添加物効果 ,  *酸素欠乏 ,  結晶方位 ,  相変態 ,  計測 ,  経時変化 ,  消光 ,  蛍光減衰 ,  電子移動 ,  速度論 ,  焼なまし ,  三重項 ,  エネルギー移動 ,  光照射 ,  真空紫外線 ,  モデリング ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  アニーリング ,  シリカ薄膜 ,  セレンイオン ,  バリアント【結晶】 ,  モデル化 ,  蛍光消光 ,  光ルミネセンススペクトル ,  時間分解法 ,  真空紫外線照射

分類 (5件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  一般及び無機化合物の蛍光・りん光(分子)  (BH06061R)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  シリカ膜 ,  Se ,  酸素欠乏 ,  光ルミネセンス