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J-GLOBAL ID：201302277706905223   整理番号：13A1796617

溶液プロセスにより製作したアモルファス酸化亜鉛錫トランジスタの光バイアス不安定性

Photobias Instability of High Performance Solution Processed Amorphous Zinc Tin Oxide Transistors

著者 (8件)： KIM Yoon Jang (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Bong Seob (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  OH Seungha (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HAN Sang Jin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Hong Woo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HEO Jaeyeong (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  JEONG Jae Kyeong (Inha Univ., Incheon, KOR) ,  KIM Hyeong Joon (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 8  ページ： 3255-3261  発行年： 2013年04月24日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液法で製作した酸化亜鉛錫(ZTO)膜について,アニール温度が膜の構造と化学的性質に与える効果を透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,高分解能X線回折,X線光電子分光法を用いて調べた。処理されたZTO膜のチャネル層はアニール温度の上昇とともに密度が増大し純度が向上した。酸素空孔による欠陥も減少したためである。その結果,ZTO薄膜トランジスタ(TFT)の特性もアニール温度の上昇に従い改善した。300°CでアニールしたZTO TFTは電界効果電子移動度(μ_FE)が小さく,閾電圧(V_th)も高く,それぞれμ_FEは0.1cm2/Vs,V_thは7.3Vであった。500°Cでアニールしたデバイスには妥当な結果が得られて,高いμ_FEの6.0cm2/Vs,低いゲート駆動閾電圧(SS)の0.28V/桁,V_thが0.58V,I_on/offには4.0×10⁷が得られた。暗状態時逆バイアス(NBS)と明状態逆バイアスストレス(NBIS)テストによるZTO TFTの遷移特性の劣化についても調べた。NBS及びNBIS下におけるZTO TFTのV_thの不安定性はアニール温度の上昇とともに抑制された。より良く理解するため電荷トラップの機構,全てのZTO TFTに対するV_th変動の動的特性およびNBSとNBIS時間を拡張指数関数的緩和機構に基づき解析した。それぞれのトランジスタにおける負のV_th変動は,NBS条件下と比較してNBIS条件下で促進されていることが分かった。このことから,NBIS劣化は高い分散パラメターと小さな緩和時間特性を有すると結論づけた。NBSとNBIS不安定性の緩和時間はアニーリング温度に従い増大した。これについては酸素空孔欠陥の遷移機構に基づき論じた。

シソーラス用語： 溶液成長 ,  結晶成長 ,  成長速度 ,  非晶質 ,  亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  酸化物 ,  *光照射 ,  *不安定性 ,  *薄膜トランジスタ ,  アニーリング【現象】 ,  *焼なまし ,  熱処理条件 ,  *ストレス ,  *バイアス
準シソーラス用語： アニーリング処理 ,  アモルファス ,  結晶成長速度 ,  *光ストレス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 溶液 ,  プロセス ,  製作 ,  アモルファス ,  酸化亜鉛 ,  錫 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  不安定性