文献

J-GLOBAL ID：201302277727599483   整理番号：13A0015183

MOSFETで制御したZnOナノワイヤコールドカソードからの電界放出

Field Emission From a MOSFET-Controlled ZnO-Nanowire Cold Cathode

著者 (4件)： YANG Wenjie (Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  SHE Juncong (Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  DENG Shaozhi (Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  XU Ningsheng (Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3641-3646  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カソードをMOSFETと直列に接続するのは放出電流と空間的均一性を改善する有効な方法である。MOSFETが放出のスイッチ,レギュレータ,帰還抵抗の働きをするのである。低温液相法でMOSFETのドレイン電極上にZnOナノワイヤ(NW)を局部的に成長させ,オンチップ集積デバイスを作って実験を行った。MOSFETのゲート電圧を0.8385Vから1.5255Vまで変えると,放出電流は0.2nAから1.15μAまで4桁変化した。放出電流の変化はMOSFETのゲート電圧で指数関数的に変化する。MOSFET制御によって放出電流揺らぎは650nAの電流レベルで61.4%から3.2%へ大きく減少する。電界放出電流の安定性改善に関係するメカニズム,NWの真空ブレークダウンの関係,MOSFETの故障について検討した。

シソーラス用語： 電流制御 ,  MOSFET ,  ナノワイヤ ,  酸化亜鉛 ,  カソード ,  *電界放出 ,  電圧 ,  電流 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *ZnOナノワイヤ ,  ゲート電圧 ,  *コールドカソード ,  電流変調 ,  放出電流

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  ZnOナノワイヤ ,  コールドカソード ,  電界放出