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J-GLOBAL ID：201302278159100602   整理番号：13A1592825

SbSIナノワイヤにおけるキャリアの光生成に対する量子効率係数

Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires

著者 (7件)： NOWAK M. (Solid State Physics Section, Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, PL-40-019 Katowice, POL) ,  BOBER L. (Solid State Physics Section, Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, PL-40-019 Katowice, POL) ,  BORKOWSKI B. (Solid State Physics Section, Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, PL-40-019 Katowice, POL) ,  KEPINSKA M. (Solid State Physics Section, Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, PL-40-019 Katowice, POL) ,  SZPERLICH P. (Solid State Physics Section, Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, PL-40-019 Katowice, POL) ,  STROZ D. (Inst. of Material Sci., Univ. of Silesia, Bankowa 12, 40-007 Katowice, POL) ,  SOZANSKA M. (Dep. of Materials Sci., Silesian Univ. of Technol., Krasinskiego 8, 40-019 Katowice, POL)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 35  号： 12  ページ： 2208-2216  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,整列スルホヨウ化アンチモン(SbSI)ナノワイヤにおけるキャリアの光生成に対する量子効率係数の研究を示した。従って,263から323Kまでの温度及び異なる光強度に対して,光伝導電流(I_PC)のスペクトル依存性(488~700nm)を測定した。最小二乗法を適用して実験的I_PCデータを適切な理論依存性に適合させた。この適合から,異なる温度及び異なる光強度に対するキャリアの拡散長及び表面再結合速度,並びに量子効率係数のスペクトル依存性を得た。拡散光反射率の測定及び量子効率係数の評価から得た吸収係数の値の比較を示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ヨウ化物 ,  *硫化物 ,  *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  *キャリア生成 ,  *光伝導 ,  半導体薄膜 ,  アラインメント ,  *量子効率 ,  波長依存性 ,  キャリア拡散 ,  キャリア再結合

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤ ,  キャリア ,  光生成 ,  量子効率 ,  係数