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J-GLOBAL ID：201302278250132789   整理番号：12A1814776

エッチング耐性材料用の酢酸蒸気下のGCIBエッチング

GCIB etching under acetic acid vapor for etch-resistant materials

著者 (5件)： YAMAGUCHI A. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  HINOURA R. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  TOYODA N. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  HARA K. (Tokyo Electron, Ibaraki, JPN) ,  YAMADA I. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 34th  ページ： 165-166  発行年： 2012年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *イオンエッチング ,  イオンビーム ,  *不揮発性メモリ ,  高温 ,  高圧 ,  化学反応 ,  *耐性 ,  蒸気 ,  イオン照射 ,  脂肪酸 ,  薬物
準シソーラス用語： ガスクラスターイオンビーム ,  酢酸蒸気 ,  耐エッチング性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 酢酸

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング耐性 ,  酢酸 ,  蒸気 ,  エッチング