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J-GLOBAL ID：201302278769281927   整理番号：13A0875009

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)と基質との間の界面相互作用

Interfacial Interactions between Poly(3-hexylthiophene) and Substrates

著者 (3件)： GUO Yan (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  MA Xiaojing (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  SU Zhaohui (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 46  号： 7  ページ： 2733-2739  発行年： 2013年04月09日 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： π共役高分子物質は磁場効果トランジスタや太陽電池に用いる電子および光電子デバイスの材料としてとして,最近注目を集めている。ここでは,π共役物質として代表的な,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)と基質との間の界面相互作用について研究を行うため,単一分子厚さのP3HTナノホイスカをクロロホルム溶液から製造した。次に,原子間力顕微鏡(AFM)とRaman分光法を用いて,得たホイスカの種々の表面化学を持つ基質上における吸着を調べ,エッジオン分子配向を有するP3HTモノマー層ナノホイスカが,ペルフルオロヘキシルモノマ層で変性したSiO2におけるより有意に高く,SiO2基質に速やかに吸着することを見いだした。一方,P3HTモノマー層には,P3HTモノマー層ナノホイスカが全く吸収しなかった。高配向性熱分解グラファイト(HOPG)の表面で,P3HT分子がフェイスオン配向で吸着し,エッジオン単層ナノホイスカは存在しなかったが,Raman分光法データで,フェイスオンP3HT分子とHOPG表面との間の強い電荷移動相互作用が明らかになった。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *ホイスカ ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *相互作用 ,  基質 ,  高分子 ,  原子間力顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  化学反応 ,  *分子配向 ,  電荷移動 ,  脂肪族塩素化合物 ,  トリハロメタン
準シソーラス用語： π共役高分子 ,  *ナノホイスカ ,  *界面相互作用 ,  表面化学反応

分類 (2件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

物質索引 (2件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  クロロホルム

タイトルに関連する用語 (3件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  基質 ,  界面相互作用