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J-GLOBAL ID:201302278971571619   整理番号:13A1623907

ガルバニ置換によるDNAを鋳型にしたTe及びBi2Te3ナノワイアの作成

Fabrication of DNA-Templated Te and Bi2Te3 Nanowires by Galvanic Displacement
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号: 35  ページ: 11176-11184  発行年: 2013年09月03日 
JST資料番号: A0231B  ISSN: 0743-7463  CODEN: LANGD5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラズマ処理などにより清浄化した酸化シリコンウエハ(Siウエハ)をオクチルジメチルクロロシラン(C8DMS)もしくはオクタデシルDMS(C18)でシラン化し,その疎水性表面にλ-DNA溶液滴(65ng/μL)を置き,一方向に移動して,λ-DNAを配向付着させた。このSiウエハ上に硝酸銀の塩基性溶液を滴下した後,空気流で除去,乾燥後,ハイドロキノン還元により,λーDNA上に金属銀ナノ粒子を適当な密度で形成させ,さらにAgナノ粒子に対してNiもしくはCuを無電解鍍金して連続ナノワイア鋳型を形成させた。次いで,HTeO2+もしくはHTeO2++Bi3+酸性溶液を用いてガルバニル置換により,ナノワイア鋳型上にTeもしくはBi2Te3を形成させ後,鋳型金属を酸化溶解した。Niを鋳型にした場合はTe及びBi2Te3ナノワイアが形成されたが,Cu鋳型ではTeナノワイアのみが形成された。
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分類 (4件):
分類
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電気化学反応  ,  界面化学一般  ,  応用物理化学的操作・装置  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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