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J-GLOBAL ID：201302279237888242   整理番号：13A1087476

高いアスペクト比と低いキャパシタンスの,ポリマー絶縁層をもつシリコン貫通ビア(TSV)

High aspect ratio and low capacitance through-silicon-vias (TSVs) with polymer insulation layers

著者 (4件)： HUANG Cui (Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  CHEN Qianwen (Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  WU Dong (Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  WANG Zheyao (Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 104  ページ： 12-17  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン貫通ビア(TSV)用途に対して,ポリマ絶縁層は,通常の二酸化シリコンを越えるキャパシタンスと信頼性に関してのいくつかの潜在的利点をもっている。本論文は,絶縁層としてポリ(プロピレンカーボネート)(PPC)ポリマーを用いたTSVの開発と測定結果をレポートした。高アスペクト比のビアの側壁上に薄い一様なPPCライナーをコーティングする問題に対処する目的で,真空処理を用いたスピンオン法と溶剤補給を,ビア中の空気の泡の形成を防ぐために開発し,この方法を用いて,9:1のアスペクト比をもつ円形のビアを一様なPPC層でコーティングした。これらの結果に基づいて,厚いPPCポリマーライナーをもつTSVを作製し,キャパシタンスと漏れ電流を測定した。PPCライナーの比較的に大きな厚さと低い誘電率のために,TSVのキャパシタンス密度は約2.45nF/cm²で,漏れ電流は5V電圧で約40nA/cm²であり,ライナーとしてPPCで二酸化シリコンを取り換えるることはTSVキャパシタンスを大幅に低減することを示した。予備の結果は,ポリマーライナーにより高いアスペクト比と低いキャパシタンスのTSVの作製の可能性を実証した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アスペクト比 ,  *バイアホール ,  *ケイ素 ,  *高密度実装 ,  *多層配線 ,  *静電容量 ,  脂肪族ポリカーボネート ,  三次元 ,  集積 ,  *絶縁膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  ライナ ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  *側壁
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  ポリプロピレンカーボネート ,  内張り

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： アスペクト比 ,  キャパシタンス ,  ポリマー ,  絶縁層 ,  シリコン貫通ビア ,  TSV