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J-GLOBAL ID：201302279297820523   整理番号：13A1338784

光電気化学的な水の選択的酸化または還元のためのn-ZnO/p-Si分岐ナノワイヤへテロ構造体の調整

Tailoring n-ZnO/p-Si Branched Nanowire Heterostructures for Selective Photoelectrochemical Water Oxidation or Reduction

著者 (11件)： KARGAR Alireza (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  SUN Ke (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  JING Yi (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  CHOI Chulmin (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  JEONG Huisu (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  ZHOU Yuchun (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  MADSEN Kristian (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  NAUGHTON Perry (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  JIN Sungho (Univ. California-San Diego, California, USA) ,  JUNG Gun Young (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  WANG Deli (Univ. California-San Diego, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 7  ページ： 3017-3022  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィー,反応性イオンエッチング-誘導結合プラズマおよび高周波スパッタリングを用いてp-Siおよびp⁺-Siナノワイヤアレイとn-ZnO分岐ナノワイヤとのヘテロ構造体を調製し,水の光電気化学的酸化および還元に対する光電極性能を調べた。低濃度ドープSiを用いたヘテロ構造体は紫外可視近赤外光の照射を受けて光カソードとして水を還元し,高濃度ドープSiを用いたヘテロ構造体は紫外光の照射を受けて光アノードとして水を酸化した。ナノワイヤアレイをTiO₂およびPtの薄層で被覆して光電気化学的安定性を高めることができた。

シソーラス用語： *水 ,  *光電気化学反応 ,  *酸化 ,  *還元 ,  ナノ構造 ,  細線 ,  *ケイ素 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  アノード ,  *光電極 ,  光電陰極
準シソーラス用語： P型シリコン ,  ナノワイヤアレイ ,  光アノード ,  光カソード

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (10件)： 光電気化学 ,  水 ,  選択的酸化 ,  還元 ,  ZnO ,  Si ,  分岐 ,  ナノワイヤ ,  テロ ,  構造体