文献

J-GLOBAL ID：201302279379254208   整理番号：13A1843699

n型InPナノワイヤにおけるドーピング効率

Doping efficiency in n-type InP nanowires

著者 (6件)： BESTEIRO Lucas V. (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  TORTAJADA Luis (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  SOUTO J. (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  GALLEGO L. J. (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  CHELIKOWSKY James R. (Univ. Texas, Texas, USA) ,  ALEMANY M. M. G. (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 11  ページ： 115310.1-115310.6  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤに関する基礎および応用研究の一環として,本研究では,n型InP ナノワイヤにおけるドーピング効率を,PARSECコードを用いた密度汎関数計算によって調べた。その際,上記ドーピングの限度を決める2因子,つまり,ドーパントの溶解度とDX様欠陥中心の形成の可能性戸を吟味した。その結果に基づいて,1)閃亜鉛鉱型ナノワイヤのアニオン置換を介したドーピングは,カチオン置換を介したドーピングと比べて適していること,2)n型III-V半導体ナノ結晶についての従来の研究との比較は,ドーピング特性に対する次元性と量子閉込めとの役割の決定を可能にすること,などを記した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *リン化インジウム ,  N型半導体 ,  *ドーピング ,  *電子構造 ,  密度汎関数法 ,  Kohn-Sham方程式 ,  近似法 ,  計算機コード ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  深い準位 ,  *不純物準位
準シソーラス用語： DX中心 ,  LDA ,  PARSEC ,  プログラムコード

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  ナノワイヤ ,  ドーピング