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J-GLOBAL ID：201302279595581868   整理番号：13A1317467

汚れた領域における電子局在化補正を伴う異常Hall効果の非従来型スケーリング

Unconventional scaling of the anomalous Hall effect accompanying electron localization correction in the dirty regime

著者 (4件)： LU Y.M. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CAI J.W. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GUO Zaibing (King Abdullah Univ. Sci. and Technol.(KAUST), Thuwal, SAU) ,  ZHANG X.X. (King Abdullah Univ. Sci. and Technol.(KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 9  ページ： 094405.1-094405.5  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弱及び強電子局在(EL)両領域において,異常Hall伝導率(σ_AH)に量子補正を伴う,汚れた流域における多結晶FePt膜において,非従来型低温異常Hall効果(AHE)スケーリング(σ_AH∝σ_xx²(電気抵抗率)))を見出した。電子輸送特性は,局在膜における無視しうるCoulomb相互作用(CI)を明らかにしたので,スケーリング関係は,CIよりも,むしろAHEへのEL補正の出現によるというのは大変ありそうであった。AHEが,電子局在により如何に影響を受けるかを理解するには,詳細な理論的研究が必要である。

シソーラス用語： *異常Hall効果 ,  *スケーリング【計数】 ,  *改変 ,  *量子補正 ,  *鉄合金 ,  *白金合金 ,  多結晶 ,  *金属薄膜 ,  電気伝導率 ,  電気抵抗率 ,  Coulomb相互作用
準シソーラス用語： *電子局在 ,  Hall伝導率

分類 (2件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  局在化 ,  異常Hall効果 ,  スケーリング