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J-GLOBAL ID：201302279776857881   整理番号：13A0015134

GaN/AlGaN HFETにおける電流コラプスを最少化するバッファ設計

Buffer Design to Minimize Current Collapse in GaN/AlGaN HFETs

著者 (3件)： UREN Michael J. (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  MOEREKE Janina (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  KUBALL Martin (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3327-3333  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlGaN HFETは30mW/mmを超えるRFパワー密度の優れた特性を示すが,課題はRFパワーを制限するDC-RF分散または電流コラプス(CC)である。GaN/AlGaN HFETにおいてバルクトラップに誘起されるCC成分をドリフト拡散シミュレーションで調べ,具体例としてFeとCを使ってバンドギャップの上半分と下半分に存在するアクセプタトラップを識別した。Feドーピングはパルス条件で分散に対して本質的だが小さい寄与をしている。一方,カーボンはドーピング密度に依存する強いCCをもたらす。この差異は,バイアス依存の空乏領域でトラップレベルが抵抗性のn型バッファかp型フローティングバッファになるかにかかっている。この知見は,Rfまたはパワー製品のための半絶縁バッファドーピングを確実にするのに必要な補償法の設計コンセプトを与える。

シソーラス用語： 分散【dispersion】 ,  電流電圧特性 ,  HEMT ,  パルス波 ,  計測 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  鉄 ,  ドーピング ,  *バッファ層 ,  *電流コラプス ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  Fe ,  GaN ,  *HFET ,  パルス測定

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  AlGaN ,  HFET ,  電流コラプス ,  バッファ ,  設計