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J-GLOBAL ID：201302280098259446   整理番号：13A0009095

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜中の局所光電流発生

Local photocurrent generation in thin films of the topological insulator Bi₂Se₃

著者 (6件)： KASTL C. (Walter Schottky Inst. and Physik-Department, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4a, 85748 Garching, DEU) ,  GUAN T. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HE X. Y. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  WU K. H. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  LI Y. Q. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HOLLEITNER A. W. (Walter Schottky Inst. and Physik-Department, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4a, 85748 Garching, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 25  ページ： 251110-251110-4  発行年： 2012年12月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーで成長させたBi₂Se₃薄膜の光電子的性質を報告する。膜は数十μmに典型的に広がった回路にパターン形成した。空間分解した実験で,正負の振幅を持つサブミクロンの光電流パターンを観測した。パターンは印加したバイアス電圧に無関係であったが,回路の幅に依存した。パターンはポテンシャル揺らぎに起因する局所光電流発生に起因すると解釈した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *光電流 ,  MBE成長 ,  パターン形成 ,  セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  ゆらぎ ,  誘電体薄膜 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： セレン化ビスマス ,  ポテンシャル揺らぎ

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  光電流