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J-GLOBAL ID：201302280267777206   整理番号：13A0618566

SiO₂の薄膜に埋め込まれたシリコンナノ結晶の面内組織化

In-plane organization of silicon nanocrystals embedded in SiO₂ thin films

著者 (7件)： CASTRO C (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  SCHAMM-CHARDON S (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  PECASSOU B (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  ANDREOZZI A (Laboratorio MDM, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SEGUINI G (Laboratorio MDM, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  PEREGO M (Laboratorio MDM, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  BENASSAYAG G (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 7  ページ： 075302,1-6  発行年： 2013年02月22日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造の5nm未満の3次元(3D)ポジショニング制御は,単一ナノ構造の系統的な界面作成及び集積機能素子作成の新しい工程となりうる。位置と再現性の点で,極めて高精度に,大面積上にナノ構造を生成し,界面のナノポーラス薄膜を構成する,ブロック共重合体(BC)のボトムアップ自己組織化と極低エネルギーイオンビーム合成(ULE-IBS)の組み合わせを研究する。次の3つのご疑問に答えることを目的とする。BC自己組立は,ULE-IBSと互換性があるか。これら2つの工程の組合せは,3D NCの組織化に適しているか。NC集団のパラメータ:サイズと密度は,どのようなBCマスキング法の影響を受けるか。その結果,ナノ組織化は,シリカマトリックス中にコントロールされた深さで埋め込まれた平均8ナノ結晶を含む20nm幅のナノ体積の六方晶配列を構成する。

シソーラス用語： ナノ構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  ブロック共重合体 ,  自己組織化 ,  イオン ,  低エネルギー領域 ,  マスキング ,  二酸化ケイ素 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  材料 ,  多孔質体
準シソーラス用語： EFTEM ,  シリコンナノ結晶 ,  ナノポーラス材料 ,  酸化物薄膜 ,  低エネルギーイオン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  薄膜 ,  シリコンナノ結晶 ,  組織化