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J-GLOBAL ID：201302280520466018   整理番号：13A0235902

斜め入射位置でのAg膜の遮蔽支配成長の開始:キネティックモンテカルロシミュレーション

Onset of shadowing-dominated growth of Ag films in glancing angle deposition: Kinetic Monte Carlo simulation

著者 (6件)： CHEN Shuhan (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, 510275, CHN) ,  CHEN Shuhan (School of Physics and Optical Information Sciences, Jia Ying Univ., Meizhou, 514015, CHN) ,  LIANG Jingshu (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, 510275, CHN) ,  MO Yunjie (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, 510275, CHN) ,  LUO Difan (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, 510275, CHN) ,  JIANG Shaoji (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, 510275, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 264  ページ： 552-556  発行年： 2013年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元モンテカルロシミュレーションをAg膜斜め入射蒸着(GLAD)の成長発展に対して実施した。GLAD条件下では基板を回転しないと遮蔽異方性のためにナノロッドが斜めに成長するが基板を高速で回転すると遮蔽の一様性のためにナノロッドは並んで垂直成長することを実証した。成長の傾向の実験とシミュレーション間の良好な一致を達成した。基板回転の場合に基板に垂直な成長のための臨界回転速度を求めた。Ag膜の成長指数は垂直及び斜め入射においても成長のごく初期段階のそれと同じであることが分かった。膜の高さが増した際の成長指数の分散は遮蔽不安定性が表面拡散に伴う平滑化効果を上回ることを示す。さらに二次元から三次元島状成長への転移を大きな斜め蒸着条件下で実証した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銀 ,  *モンテカルロ法 ,  異方性 ,  *ナノロッド ,  表面拡散 ,  平滑化 ,  *薄膜成長 ,  金属薄膜 ,  *真空蒸着 ,  *影効果 ,  基板 ,  回転
準シソーラス用語： *キネティックモンテカルロシミュレーション ,  *斜め蒸着 ,  島状成長

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 斜め入射 ,  Ag ,  遮蔽 ,  支配 ,  成長 ,  キネティックモンテカルロシミュレーション