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J-GLOBAL ID：201302281518697874   整理番号：13A0026546

InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響

The Effect of Carrier Transport and Thermal Activation Processes on Non-radiative Carrier Recombination Processes in InN Films

著者 (5件)： 今井大地 (千葉大 大学院工学研究科) ,  石谷善博 (千葉大 大学院工学研究科) ,  WANG Xinqiang (北京大 物理学院) ,  草部一秀 (千葉大 スマートグリーンイノベーション研究拠点) ,  吉川明彦 (千葉大 スマートグリーンイノベーション研究拠点)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 327(ED2012 65-92)  ページ： 103-108  発行年： 2012年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について,熱活性型状態遷移過程,非輻射性再結合中心となる欠陥へのキャリア輸送過程に着目して解析を行った。禁制帯中央付近に位置する準位を介した輻射再結合が観測されたが,主要な発光効率低減過程はフォノン放出を伴う非輻射再結合であることが分かり,電子捕獲型の欠陥が非輻射再結合中心の候補と考えられる。またn型試料とp型試料の発光強度差は少数キャリア拡散長および配位場座標系に現れる状態遷移過程の支配的活性化エネルギーの違いを反映していると考えられる。InNでは非輻射再結合速度決定機構において熱活性化過程およびキャリア輸送過程が大きな影響を及ぼしている。(著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *キャリア再結合 ,  *再結合放射 ,  無放射遷移 ,  *キャリア拡散 ,  活性化 ,  熱影響 ,  発光 ,  バンドギャップ ,  エネルギー変換効率 ,  深い準位 ,  放出 ,  電子捕獲 ,  再結合中心 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  放射強度 ,  少数キャリア ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 非輻射再結合 ,  キャリア輸送 ,  熱活性化 ,  バンド端発光 ,  発光効率 ,  禁制帯 ,  フォノン放出 ,  発光強度

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  輻射性 ,  キャリア ,  キャリア輸送 ,  熱活性化過程