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J-GLOBAL ID：201302281957252927   整理番号：13A0649234

論理トランジスターおよび相補型インバーター用の層状材料と垂直積層多重ヘテロ構造

Vertically stacked multi-heterostructures of layered materials for logic transistors and complementary inverters

著者 (7件)： YU Woo Jong (Univ. California, California, USA) ,  LI Zheng (Univ. California, California, USA) ,  ZHOU Hailong (Univ. California, California, USA) ,  CHEN Yu (Univ. California, California, USA) ,  WANG Yang (Univ. California, California, USA) ,  HUANG Yu (Univ. California, California, USA) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 12  号： 3  ページ： 246-252  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは電子デバイス用材料として期待されているが,論理デバイスに必要な大きいオン-オフ比を得ることができない。本研究では,層状化合物として,グラフェン,MoS₂あるいはBi₂Sr₂Co₂O₈を積層した垂直電界効果トランジスター(VFET)を作製し,評価を行った。結果として室温オン-オフ比が10³以上で,5000Acm^-1の高い電流密度を達成した。数層のMoS₂を単層グラフェンと金属薄膜でサンドイッチしたnチャンネルトランジスターと,Bi₂Sr₂Co₂O₈を用いたpチャンネルとを積層することで相補型インバーターを作製し,良好な特性を得た。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  固体素子 ,  炭素材 ,  *硫化モリブデン ,  ビスマス化合物 ,  *コバルト酸塩 ,  積層構造 ,  電流電圧特性 ,  インバータ ,  *グラフェン

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 論理 ,  トランジスター ,  相補型インバーター ,  層状材料 ,  垂直 ,  多重 ,  ヘテロ構造