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J-GLOBAL ID：201302282304732083   整理番号：13A1412911

FeSb₂のナローギャップ半導体-強磁性金属転移とその関連化合物

Narrow Gap Semiconductor to Ferromagnetic Metal Transition in FeSb₂ and Its Related Compounds

著者 (6件)： KASSEM Mohamed A. (Kyoto Univ.) ,  TABATA Yoshikazu (Kyoto Univ.) ,  WAKI Takeshi (Kyoto Univ.) ,  KONDO Akihiro (Kyoto Univ.) ,  KINDO Koichi (ISSP Univ.) ,  NAKAMURA Hiroyuki (Kyoto Univ.)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第3分冊  ページ： 377  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  強磁性 ,  *強磁性体 ,  結晶成長 ,  *相転移 ,  磁化率 ,  温度依存性 ,  鉄化合物 ,  アンチモン化物 ,  金属 ,  強磁性金属
準シソーラス用語： *ナローギャップ半導体

分類 (1件)： 相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナローギャップ半導体 ,  強磁性金属 ,  関連化合物