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J-GLOBAL ID：201302282382954289   整理番号：13A0619083

金属/分子加工界面での欠陥のナノスケールの原因

Nanoscale Origin of Defects at Metal/Molecule Engineered Interfaces

著者 (4件)： NIRMALRAJ Peter N. (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  SCHMID Heinz (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  GOTSMANN Bernd (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  RIEL Heike (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 29  号： 5  ページ： 1340-1345  発行年： 2013年02月05日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 雲母及びCaF₂基板上に膜厚100nmのAu層を蒸着させ,金の表面モルフォロジーをAFMとSTMで観察した。表面の細孔生成機構を明らかにし,細孔密度と細孔形状への金蒸着の際の基板温度の影響を研究した。高分解能STMにより,基板の金の欠陥に起因するC₆₀単一層のピンホールを示した。表面欠陥をなくし,大面積の超平坦な金接触を得る方法として,約500°Cに保った単結晶CaF₂(111)基板上への金の蒸着を提案した。得られた超平坦超薄Au(111)面上で規則化した,最密充填でピンホールのないC₆₀分子層の生成を確認した。

シソーラス用語： *金 ,  蒸着 ,  結晶面 ,  *雲母 ,  *フッ化カルシウム ,  *欠陥 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  高分解能 ,  細孔 ,  温度依存性 ,  *フラーレンC60 ,  単一層 ,  ピンホール ,  結晶構造 ,  充填 ,  界面
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  STM【顕微鏡】 ,  ナノ界面 ,  最密充填

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子 ,  界面 ,  欠陥 ,  ナノスケール ,  原因