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J-GLOBAL ID：201302282801612326   整理番号：13A1400450

メゾスコピック量子系を測定するためのオンチップテラヘルツスペクトロスコピ技法

On-chip terahertz spectroscopic techniques for measuring mesoscopic quantum systems

著者 (6件)： WOOD C. D. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  MISTRY D. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  LI L. H. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  CUNNINGHAM J. E. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  LINFIELD E. H. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  DAVIES A. G. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 84  号： 8  ページ： 085101-085101-6  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,集積した光伝導スイッチを組み込んだ導波路が,極低温と高磁場の両方において,閉じこめた半導体系の超高速(テラヘルツ周波数領域)特性の探測を可能にするために,二次元電子系と組み合される,オンチップ素子の自己整列製作について述べる。我々は,二次元電子系を含むGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いて一体に集積した,エキタキシャル成長した低温GaAs層の上に形成した,平面内光伝導性スイッチのフェムト秒近赤外レーザ励起による,メゾスコピック系の中への,オンチップテラヘルツパルスの直接入射を実証する。オンチップ導波路の入力と出力の両テラヘルツ信号を,単一素子上の光伝導励起/検出配列をその場で動的に変えることによって,サンプリングする。我々はまた,光電流と検出されるテラヘルツ過渡現象を,それぞれエミッタと検出器における近赤外励起位置の関数として,マップすることを可能にする,³He/⁴He希釈冷凍機の中の,オンチップテラヘルツ放射のサブKelvin励起及び検出のための,新しい方法も説明する。さらに我々は,磁場の下の200mKと低い温度におけるコプレーナ導波路の中の,二次元電子系を通じてテラヘルツ過渡現象の伝達を説明する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *メソスコピック系 ,  電子装置 ,  *量子効果 ,  超小形回路技術 ,  サブミリ波 ,  スペクトロスコピー ,  光伝導 ,  導波路 ,  電子系 ,  遠赤外線
準シソーラス用語： 量子効果デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子系 ,  技法