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J-GLOBAL ID：201302282998366232   整理番号：13A0864964

グラフェンベース型ホットエレクトロントランジスタ

A Graphene-Based Hot Electron Transistor

著者 (10件)： VAZIRI Sam (KTH Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  LUPINA Grzegorz (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  HENKEL Christoph (KTH Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  SMITH Anderson D. (KTH Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  OESTLING Mikael (KTH Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  DABROWSKI Jarek (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  LIPPERT Gunther (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  MEHR Wolfgang (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  LEMME Max C. (KTH Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  LEMME Max C. (Univ. Siegen, Siegen, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 4  ページ： 1435-1439  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板にn-型シリコンエミッタおよびSiO₂シャロートレンチアイソレーション(STI)をパターン形成し,表面熱酸化してSiO₂エミッタ-ベース絶縁体を生成させ,その上にグラフェンを載せてベース電極とし,Al₂O₃ベース-コレクタ絶縁体および金属コレクタを積層して6種類の異なるグラフェンベース型ホットエレクトロントランジスタを作製した。シリコンテクノロジーと良好に適合するこの方法で10⁴を超えるオン/オフ電流比のトランジスタ特性を得ることができた。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *炭素材 ,  *ホットエレクトロン ,  *ベース【半導体】 ,  エミッタ【半導体】 ,  コレクタ【半導体】 ,  比率 ,  アイソレーション【IC】 ,  グラフェン
準シソーラス用語： STI【アイソレーション】 ,  オンオフ比 ,  ホットエレクトロントランジスタ

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  ホットエレクトロントランジスタ