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J-GLOBAL ID：201302283182871105   整理番号：13A1111314

強力レーザ場の下のグラフェン電場効果トランジスタにおける電子移動に及ぼすゲート電圧の影響

The influence of gate voltage on electron transport in the graphene field-effect transistor under strong laser field

著者 (5件)： Liu Jiangtao (Dep. of Physics,Nanchang Univ., Nanchang) ,  Huang Jiehui (Dep. of Physics,Nanchang Univ., Nanchang) ,  Xiao Wenbo (Key Lab. of Nondestructive Testing(Ministry of Education),Nanchang Hongkong Univ., Nanchang) ,  HuAirong (Dep. of Physics,Nanchang Univ., Nanchang) ,  Wang Jianhui (Dep. of Physics,Nanchang Univ., Nanchang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 17  ページ： 177202-1-177202-5  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 差分時間領域方式を使用することによって,強力なレーザ電磁場の下のグラフェン電場効果トランジスタにおける電子移動に及ぼすゲート電圧の影響を研究する。強力レーザ場の誘発光学Stark効果によって強くグラフェンにおける完全トンネリングを抑えることができる。この抑制はレーザ電磁場だけではなく,ゲート電圧の幅と高さにも依存する。非四角形障壁を通した電子移動を調査する。著者らは,わずかな勾配がある障壁には電子移動に及ぼす影響がほとんどないが,障壁に大きい勾配があるなら,トンネリング確率は顕著に変化することを発見した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電圧 ,  炭素材 ,  電子移動 ,  放射場 ,  Stark効果 ,  信号特性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *電場効果トランジスタ ,  ゲート電圧 ,  レーザ場 ,  レーザ電磁場 ,  時間領域

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ場 ,  グラフェン ,  電場効果トランジスタ ,  電子移動 ,  ゲート電圧