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J-GLOBAL ID：201302283199659037   整理番号：13A1843725

非平衡量子ナノデバイスにおけるエネルギー散逸と熱浴誘起熱化間の相互作用

Interplay between energy dissipation and reservoir-induced thermalization in nonequilibrium quantum nanodevices

著者 (4件)： DOLCINI Fabrizio (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  DOLCINI Fabrizio (SPIN, CNR, Napoli, ITA) ,  IOTTI Rita Claudia (Politecnico di Torino, Torino, ITA) ,  ROSSI Fausto (Politecnico di Torino, Torino, ITA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 11  ページ： 115421.1-115421.7  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現実の固体電子ナノデバイスでは位相コヒーレンスは環境との非弾性散乱によって乱される。この非平衡過程は電子の散逸と非弾性過程によるデコヒーレンスとの複雑な相互作用によって決定される。本論文の目的はこのような問題に対して密度行列に基づいた統一的な理論的枠組みを与える事である。密度行列を用いた量子ナノデバイスのモデル化を行った後,ナノデバイスの最適化及び設計に適した一般化密度行列方程式を導出した。例として,GaAsに基づいた光励起三重障壁ナノデバイスに今回提唱した方法を適用し有用性を示した。

シソーラス用語： *固体素子 ,  ナノ構造 ,  *エネルギー散逸 ,  コヒーレンス ,  非弾性散乱 ,  *過程 ,  密度行列 ,  量子効果 ,  熱化 ,  ヒ化ガリウム ,  熱浴
準シソーラス用語： *ナノデバイス ,  *非平衡過程

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非平衡 ,  量子 ,  ナノデバイス ,  エネルギー散逸 ,  熱浴 ,  誘起 ,  熱化 ,  相互作用