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J-GLOBAL ID：201302283237674320   整理番号：13A1567219

高周波マグネトロンスパッタリングによって作製された水素化シリコン薄膜の光学的構造的特性への高周波パワー効果

Radiofrequency power effects on the optical and structural properties of hydrogenated silicon films prepared by radiofrequency magnetron sputtering

著者 (7件)： BOUIZEM Y. ,  ABBES C. ,  KEFIF K. ,  SIB J.d. ,  BENLAKEHAL D. ,  KEBAB A. ,  CHAHED L.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 545  ページ： 245-250  発行年： 2013年10月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(Ts=100°C)で高周波(rf)マグネトロンスパッタリングによって堆積させた水素化シリコン薄膜の光学的・構造的特性を光透過測定(OT),フーリエ変換赤外(IR)分光と分光エリプソメトリー(SE)法によって慎重に調査した。100Wから350Wにrfパワーを変え,プラズマ定数の他のすべてのパラメタを一定に保つことによって,成長速度は最大1.02nm/sまで増加した。縦ゆれと伸縮振動の両モードのための水素結合形状における驚くべき変化を観測した。rfパワーが180Wから200Wまで高められるとき,非晶質相からSi結晶を有する別の相への明確な構造相転移を観測された変化は実証した。2相の違いは,OTとIR吸収結果によってよく明らかにされて,SEの結果によって強く確認された。バンドギャップと薄膜のミクロ構造への水素の効果を検討した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *水素化 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *偏光解析法 ,  赤外吸収スペクトル ,  *構造相転移 ,  非晶質 ,  バンドギャップ ,  微細構造 ,  光透過 ,  出力
準シソーラス用語： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  分光エリプソメトリ ,  FTIRスペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  水素化 ,  シリコン薄膜 ,  光学 ,  構造的特性 ,  高周波 ,  パワー