文献

J-GLOBAL ID：201302283237734200   整理番号：13A0865004

プラズモンナノ構造ダイオードを埋込むとホットエレクトロン放出を増強する

Embedding Plasmonic Nanostructure Diodes Enhances Hot Electron Emission

著者 (7件)： KNIGHT Mark W. (Rice Univ., Texas, USA) ,  WANG Yumin (Rice Univ., Texas, USA) ,  URBAN Alexander S. (Rice Univ., Texas, USA) ,  SOBHANI Ali (Rice Univ., Texas, USA) ,  ZHENG Bob Y. (Rice Univ., Texas, USA) ,  NORDLANDER Peter (Rice Univ., Texas, USA) ,  HALAS Naomi J. (Rice Univ., Texas, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 4  ページ： 1687-1692  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィーおよび反応性イオンエッチングによってSi/SiO₂(10nm)基板のSi部分に深さ5,15および25nmのピットを作製し,厚さ2nmのTiおよび35nmのAuを電子ビーム蒸着した。電極を作製してAuプラズモンナノ構造とSiとの間のSchottky障壁を通る光電流を測定した。Si内に金プラズモンナノ構造を埋込むと単にSi上に金プラズモンナノ構造を重ねた場合と比べてホットエレクトロン放出が顕著に増加することを示した。

シソーラス用語： *金 ,  ナノ構造 ,  プラズマ共鳴 ,  光電流 ,  *ケイ素 ,  Schottky障壁 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *ホットエレクトロン
準シソーラス用語： シリコン ,  表面プラズモン共鳴

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズモン ,  ナノ構造 ,  ダイオード ,  埋込 ,  ホットエレクトロン ,  放出 ,  増強