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J-GLOBAL ID:201302283355115638   整理番号:13A0566231

銅検出のためのシリコン表面でのGlyHisGlyHis不動化

GlyHisGlyHis immobilization on silicon surface for copper detection
著者 (5件):
資料名:
巻: 269  ページ: 166-170  発行年: 2013年03月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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半導体表面の共有結合的にグラフトされた有機層に基づいたハイブリッドナノ材料は革新的応用,特にセンサの分野で有望なシステムに見える。この研究で,著者らは金属イオンと安定な錯体を形成するペプチドGlyHisGlyHisによるシリコン表面の官能化に焦点を当てた。溶液中の重金属の認識を達成するためにその性質を探求した。多段反応を用いて不動化を達成した:N-エチル-N′-(3-ジメチルアミノプロピル)-カルボジイミド(EDC)/N-ヒドロキシスクシニミド(NHS)カップリング剤を用いて前もって作製されたカルボキシル終端化シリコン表面にGlyHisGlyHisを固定した。この方式はペプチドのプローブ活性を保持するために必要な温和な条件と両立する。不動化の各段階で表面をATR(減衰全反射)配置でのFourier変換赤外分光(FTIR)と原子間力顕微鏡(AFM)でモニターした。そうして作製された電極の電気化学的挙動をサイクリックボルタンメトリー法により銅イオンの存在の下で行われた。記録されたサイクリックボルタモグラムはシリコン表面に不動化された錯体Cu-GlyHisGlyHisにおけるCu+2/Cu+結合に対応する表面可逆プロセスを示した。μM以下の銅イオン濃度が検出された。これらの結果は溶液中の有毒金属の簡便かつ高速検出のための戦略開発においてペプチド修飾シリコン電極の可能な役割を実証する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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分析機器  ,  重金属調査測定  ,  電極過程 
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