逐次処理したCu(In,Ga)(Se,S)<sub>2</sub>薄膜太陽電池の素子性能に対する様々な硫黄取り込みの影響

KNECHT Robin; HAMMER Maria S.; PARISI Juergen; RIEDEL Ingo

文献

J-GLOBAL ID：201302283413416619 整理番号：13A1360160

逐次処理したCu(In,Ga)(Se,S)₂薄膜太陽電池の素子性能に対する様々な硫黄取り込みの影響

Impact of varied sulfur incorporation on the device performance of sequentially processed Cu(In,Ga)(Se,S)₂ thin film solar cells

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資料名：
巻： 210 号： 7 ページ： 1392-1399 発行年： 2013年07月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

Cu(In,Ga)(Se,S)₂太陽電池の性能を上げるため,SとSeの割合を調整して,吸収体/バッファ界面のバンドギャップを大きくすることを試みた。試料は,高速熱処理(RTP)中,様々なH₂S圧力による蒸着反応過程を通して作成した。RTP中,硫黄に前駆体を曝露すると,素子の性能が著しく改善された。開路電圧が約150mV増大した結果はバンドギャップ増大だけでは説明できない。強く硫化した試料の飽和電流密度と理想因子が大きく低下したことから,空間電荷領域に位置するギャップ中欠陥状態を介して再結合が低下すると考えた。この考えは深準位過渡分光測定の結果から支持された。以上の結果から,空乏層の再結合中心が硫黄で不動態化されるため,開路電圧と素子性能が増大することが分った。

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太陽電池

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逐次処理したCu(In,Ga)(Se,S)2薄膜太陽電池の素子性能に対する様々な硫黄取り込みの影響

逐次処理したCu(In,Ga)(Se,S)₂薄膜太陽電池の素子性能に対する様々な硫黄取り込みの影響