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J-GLOBAL ID：201302283491488596   整理番号：13A1149382

InAs/GaSb超格子ピンフォトダイオード:MWIR領域の温度動作を改善するSL期間の選択

InAs/GaSb superlattice pin photodiode: choice of the SL period to enhance the temperature operation in the MWIR domain.

著者 (6件)： CHRISTOL P. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  TAALAT R. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  DELMAS M. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  RODRIGUEZ J.B. (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  GIARD E. (ONERA, Palaiseau, FRA) ,  RIBET-MOHAMED I. (ONERA, Palaiseau, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8631  ページ： 86312P.1-86312P.9  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型GaSb基板上にMBEによって製造された,MWIRピンフォトダイオードの電気的性能に及ぼすSL期間の影響を研究した。これらのSL構造は,対称か非対称であるSL期間設計で作製され,77Kにおいてほぼ5μmのカットオフ波長を示した。7つのInAs単分子層(ML)および4つのGaSbMLから成る非対称SL構造の,いくつかのSLピンフォトダイオードについて行われた実験測定は,暗電流密度に関して優位性を示す。その結果,7/4SLダイオードは,77Kで,40nA/cm²の低い暗電流密度および1.7x10⁶Ohm・cm²より大きいR₀A積を示す。これは等価な対称10/10SLダイオードで得られた値より10倍大きい。

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *超格子 ,  *フォトダイオード ,  *赤外線 ,  暗電流 ,  電流測定 ,  非対称性 ,  PINダイオード ,  *MBE成長 ,  *P型半導体 ,  電流密度 ,  光検出器アレイ ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  *基板
準シソーラス用語： MWIR ,  焦点面アレイ

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  ピンフォトダイオード ,  MWIR ,  SL