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J-GLOBAL ID：201302283600347728   整理番号：13A1304866

共ドープおよび三重ドープZnO薄膜のp型形成機構

p-Type Formation Mechanism of Codoped and Tridoped ZnO Thin Films

著者 (3件)： BALAKRISHNAN L. (National Inst. Technol., Tiruchirappalli, IND) ,  BARMAN S. R. (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Madhya Pradesh, IND) ,  GOPALAKRISHNAN N. (National Inst. Technol., Tiruchirappalli, IND)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 5  号： 5  ページ： 462-468  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリングを用いて,Al-As共ドープおよびAl-As-N三重ドープp型ZnO薄膜をGaAs基板上に成長させた。ドーパントの存在はToF-SIMS解析によって確認した。XPS解析を用いて,共ドープおよび三重ドープ膜の各々に対して,(As_Zn-2V_Zn)と[(As_Zn-2V_Zn)+N_O]錯体がp型伝導に関係していることを明らかにした。共ドープおよび三重ドープZnO薄膜における増強p型伝導度は,Nの存在下においてもAl_Znと(As_Zn-2V_Zn)錯体間の緊密な相互作用によることがわかった。作製したホモ接合の整流特性から,膜のp型伝導性に対するさらなる証拠が得られた。これらの結果から,Al-As共ドープおよびAl-As-N三重ドープ法がZnOをベースとした素子に対する良質なp層を作製するための優れた候補であることが示唆された。

シソーラス用語： *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  二次イオン質量分析 ,  X線光電子分光法 ,  *P型半導体 ,  *錯体生成 ,  整流 ,  半導体接合
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  ホモ接合

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  三重 ,  ZnO薄膜