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J-GLOBAL ID:201302283622944827   整理番号:13A0764053

Ag電極化単一NaドープZnOナノワイヤにおける電流自己適合及び自己整流抵抗スイッチング

Current self-complianced and self-rectifying resistive switching in Ag-electroded single Na-doped ZnO nanowires
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 2651-2654  発行年: 2013年04月07日 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Ag電極をつけたNaドープZnOナノワイヤ抵抗スイッチングメモリにおいて電流自己適合及び自己整流抵抗バイポーラ抵抗スイッチングを観測した。SEM,高空間分解能Auger電子分光(HSR-AES),電流電圧特性を測定し,ナノワイヤ上に形成されたAgナノアイランド鎖によって抵抗スイッチングが制御されている事を示した。自己適合性はNaドーピングとAgの部分的反応によって誘起され,自己整流作用はNaドーピングとAg原子偏析によって誘起されたナノワイヤとAg接合との非対称接触に起因する事が分かった。
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 

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