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J-GLOBAL ID：201302283797523140   整理番号：13A0083368

周波数変調高周波静電力顕微鏡を使った作動しているカーボンナノチューブトランジスタの局所電位プロファイリング

Local potential profiling of operating carbon nanotube transistor using frequency-modulation high-frequency electrostatic force microscopy

著者 (5件)： ITO Masanao (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KOBAYASHI Kei (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8520, JPN) ,  MIYATO Yuji (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  MATSUSHIGE Kazumi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  YAMADA Hirofumi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 1  ページ： 013115-013115-5  発行年： 2013年01月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  力顕微鏡 ,  *電位分布 ,  単層カーボンナノチューブ ,  周波数変調 ,  *表面電位 ,  *カーボンナノチューブFET ,  *静電気力顕微鏡
準シソーラス用語： *静電力顕微鏡

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 周波数変調 ,  静電力顕微鏡 ,  プロファイリング