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J-GLOBAL ID:201302284010161188   整理番号:13A0026401

電磁波照射を用いたフォールト攻撃によるICカードからのAES鍵の抽出

How to Extract AES Key from Smart Card by Fault Injection Attack Using Electromagnetic Irradiation
著者 (7件):
資料名:
巻: 112  号: 306(LOIS2012 32-46)  ページ: 1-8  発行年: 2012年11月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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暗号モジュールに部分的にフォールトを起こしモジュール内部の暗号鍵を暴くフォールト攻撃は強力な攻撃方法と位置づけられ,フォールト攻撃への耐性評価法の確立が求められている。我々は電磁波照射によるフォールト攻撃評価環境を構築した。この評価環境において,ブロック暗号AES(128ビット鍵)を実装した(フォールト攻撃に対する特段の対策なしの)接触型ICカードを動作させ,AESの10ラウンド目のAddRoundKey処理に合わせて電磁波を照射し,AddRoundKey処理の1クロック毎にフォールトを起こすことに成功した。さらに,フォールトが起きたときの出力暗号文から直接,またフォールトなしの場合の暗号文との排他的論理和を計算することにより,ICカードに内蔵されたAESの鍵の128ビット全てを導出することに成功した。本報告はその詳細を述べるとともに,電磁波照射によるフォールト攻撃への暗号モジュールの耐性評価方法について論じる。(著者抄録)
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分類 (2件):
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データ保護  ,  符号理論 
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