抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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暗号モジュールに部分的にフォールトを起こしモジュール内部の暗号鍵を暴くフォールト攻撃は強力な攻撃方法と位置づけられ,フォールト攻撃への耐性評価法の確立が求められている。我々は電磁波照射によるフォールト攻撃評価環境を構築した。この評価環境において,ブロック暗号AES(128ビット鍵)を実装した(フォールト攻撃に対する特段の対策なしの)接触型ICカードを動作させ,AESの10ラウンド目のAddRoundKey処理に合わせて電磁波を照射し,AddRoundKey処理の1クロック毎にフォールトを起こすことに成功した。さらに,フォールトが起きたときの出力暗号文から直接,またフォールトなしの場合の暗号文との排他的論理和を計算することにより,ICカードに内蔵されたAESの鍵の128ビット全てを導出することに成功した。本報告はその詳細を述べるとともに,電磁波照射によるフォールト攻撃への暗号モジュールの耐性評価方法について論じる。(著者抄録)