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J-GLOBAL ID：201302284057009961   整理番号：13A1197102

Kelvinプローブ研究用にトップゲート有機電界効果トランジスタを反転させる新方法

A new method to invert top-gate organic field-effect transistors for Kelvin probe investigations

著者 (6件)： KEHRER L. A. (TU Darmstadt, Inst. of Materials Sci., Electronic Materials Div., Petersenstr. 23, 64287, Darmstadt, DEU) ,  FELDMEIER E. J. (TU Darmstadt, Inst. of Materials Sci., Electronic Materials Div., Petersenstr. 23, 64287, Darmstadt, DEU) ,  SIOL C. (TU Darmstadt, Inst. of Materials Sci., Electronic Materials Div., Petersenstr. 23, 64287, Darmstadt, DEU) ,  WALKER D. (TU Darmstadt, Inst. of Materials Sci., Electronic Materials Div., Petersenstr. 23, 64287, Darmstadt, DEU) ,  MELZER C. (Universitaet Heidelberg, Centre for Advanced Materials, Im Neuenheimer Feld 270, 69120, Heidelberg, DEU) ,  SEGGERN H. (TU Darmstadt, Inst. of Materials Sci., Electronic Materials Div., Petersenstr. 23, 64287, Darmstadt, DEU)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 112  号： 2  ページ： 431-436  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)ベース頂上ゲート電界効果トランジスタの局所的チャンネルポテンシャルの研究を可能にする技術を報告した。通常は,頂上ゲートトランジスタのチャンネルポテンシャルをKelvinプローブ力顕微鏡で測定することは頂上ゲートの電気的遮蔽又は厚い基板を通してのチップのチャンネルに対する弱い容量性結合のために不可能である。しかしながら,デバイス全体を水溶性ポリビニルアルコール層上に堆積することによって,デバイスを基板から完全に取り外すし,自立機能性有機電界効果トランジスタ(OFET)を創出することができる。取り外し後,反転デバイスを他の基板上に積層することが可能である。この方法は頂上ゲートOFETの通常は隠されているチャンネルにアクセスすることを許し,KPFM測定の遂行を可能にする。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *顕微鏡観察 ,  電気測定 ,  チャネル ,  Kelvin法 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  導電性高分子 ,  ポリビニルアルコール ,  基板 ,  素子構造 ,  反転 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *Kelvinプローブ力顕微鏡法 ,  *ポテンシャル測定 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  トップゲート ,  ボトムゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Kelvinプローブ ,  研究 ,  トップゲート ,  有機電界効果トランジスタ ,  反転