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J-GLOBAL ID：201302284227130140   整理番号：13A0779539

スイッチング電力低減のための相変化メモリにおける変調ブロック共重合体ナノ構造の自己集合組み込み

Self-Assembled Incorporation of Modulated Block Copolymer Nanostructures in Phase-Change Memory for Switching Power Reduction

著者 (12件)： PARK Woon Ik (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  YOU Byoung Kuk (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  MUN Beom Ho (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SEO Hyeon Kook (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SEO Hyeon Kook (IBS, Daejeon, KOR) ,  LEE Jeong Yong (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Jeong Yong (IBS, Daejeon, KOR) ,  HOSAKA Sumio (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  YIN You (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  ROSS C. A. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  LEE Keon Jae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JUNG Yeon Sik (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 3  ページ： 2651-2658  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリ(PCM)素子のスイッチング電力を,ブロック共重合体(BCP)自己集合プロセスに基づいたワンステップを組み込むことにより,20分の1に低減する新しいアプローチを述べた。BCP改質メモリ技術は,PCM素子において実現させることに成功し,セルサイズとは別に,大きな電力低減を与えた。この結果は,大きな電力低減を,高コストのリソグラフィーツールを使用せず,メモリセルサイズも縮小せずに,達成できたという点において高い意味をもつ。シミュレーション結果は,このアプローチを最先端の50nm PCM素子に応用できることを示唆した。

シソーラス用語： *自己集合 ,  *ブロック共重合体 ,  *ナノ構造 ,  *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  スイッチング ,  *省エネルギー ,  消費電力 ,  カルコゲン化物 ,  高速度 ,  スケーラビリティ【計算機】 ,  二酸化ケイ素 ,  記憶素子 ,  温度分布 ,  コンタクトホール ,  PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  電力低減

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： スイッチング ,  電力低減 ,  相変化メモリ ,  変調 ,  ブロック共重合体 ,  ナノ構造 ,  自己集合 ,  組み込み