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J-GLOBAL ID：201302284617903221   整理番号：13A0048150

カルバゾールとニトロアゾベンゼンの両ペンダントを持つランダム共重合体で作製した複機構制御三重記憶装置

Dual-Mechanism-Controlled Ternary Memory Devices Fabricated by Random Copolymers with Pendent Carbazole and Nitro-Azobenzene

著者 (11件)： ZHUANG Hao (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  XU Xiaoping (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LIU Yuanhua (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  ZHOU Qianhao (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  XU Xufeng (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LI Hua (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  XU Qingfeng (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LI Najun (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LU Jianmei (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LU Jianmei (Soochow Univ., Jiangsu, CHN) ,  WANG Lihua (Soochow Univ., Suzhou, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 48  ページ： 25546-25551  発行年： 2012年12月06日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルバゾールドナー基とニトロアゾベンゼンアクセプタ基の双方を含有する側鎖型ランダム共重合体,ポリ(9-(4-ビニルベンジル)-9H-カルバゾール)-ランダム-ポリ(1-(4-ニトロ-アゾフェニル)-ピロール-2,5-ジオン)(PMIDO3)を設計/合成した.本ランダム高分子PMIDO3薄膜をITO電極とAl電極間にサンドイッチした素子は,電荷移動とフィラメント電導の複伝導機構に基づく三重(0,1,2)電気伝導状態を示した。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電荷移動 ,  *ランダム共重合体 ,  化学合成 ,  材料設計 ,  *導電性高分子 ,  サンドイッチ構造 ,  *素子構造
準シソーラス用語： *三重記憶装置 ,  分子内電荷移動 ,  導電フィラメント ,  *ドナー・アクセプター系 ,  *PMIDO3

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： カルバゾール ,  アゾベンゼン ,  ランダム共重合体 ,  作製 ,  記憶装置