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J-GLOBAL ID：201302285212234590   整理番号：13A0012058

耐摩耗プローブの電気接点安定性

Electric contact stability of anti-wear probes

著者 (14件)： TOMIZAWA Yasushi (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  TOMIZAWA Yasushi (Corporate R&D Center, Toshiba Corp.) ,  TOMIZAWA Yasushi (Res. Center for Advanced Sci. and Technol., the Univ. of Tokyo) ,  LI Yongfang (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  LI Yongfang (Corporate R&D Center, Toshiba Corp.) ,  KOGA Akihiro (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  KOGA Akihiro (Corporate R&D Center, Toshiba Corp.) ,  TOSHIYOSHI Hiroshi (Res. Center for Advanced Sci. and Technol., the Univ. of Tokyo) ,  ANDO Yasuhisa (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  ANDO Yasuhisa (Tokyo Univ. of Agriculture and Technol.) ,  HASHIGUCHI Gen (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  HASHIGUCHI Gen (Shizuoka Univ.) ,  FUJITA Hiroyuki (3D-BEANS Center, BEANS Lab.) ,  FUJITA Hiroyuki (Inst. of Industrial Sci., the Univ. of Tokyo)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 9  号： 21  ページ： 1675-1682 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型ナノプローブを用いた精密プロセスやデバイスを実際に実現するためには,プローブチップの耐摩耗性の改善だけでなく,スライディングプローブ電極での安定な電気接点も必要とされる。これらの二つの要求を満足させるため,どちらも基板上を同時にスライドする支持Siチップと金属電極を含む耐摩耗プローブを開発した。長いスライディング距離に亘って優れた電気接点を維持するための材料選択の主要因を研究するために,各種の電極材料を用いたプローブを評価した。その結果は,材料硬さ,表面粗さおよびプローブ接触力の最適管理がプローブから最適性能を実現するのに重要であったことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マイクロプローブ ,  *電気接点 ,  安定性 ,  耐摩耗性 ,  電極材料 ,  走査 ,  半導体チップ ,  力
準シソーラス用語： Siチップ ,  接触力 ,  走査型

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• [1] K. Kakushima, T. Watanabe, K. Shimamoto, T. Couda, M. Ataka, H. Mimura, Y. Isono, G. Hashiguchi, Y. Mihara, and H. Fujita, “Atomic Force Microscope Cantilever Array for Parallel Lithography of Quantum Devices,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 6B, pp. 4041-4044, June 2004.
• [2] E. Eleftheriou, T. Antonakopoulos, G. K. Binnig, G. Cherubini, M. Despont, A. Dholakia, U. Durig, M. A. Lantz, H. Pozidis, H. E. Rothuizen, and P. Vettiger, “Millipede-A MEMS-Based Scanning-Probe Data-Storage System,” IEEE Trans. Magn., vol. 39, no. 2, pp. 938-945, March 2003.
• [3] K. Tanaka, Y. Kurihara, T. Uda, Y. Daimon, N. Odagawa, R. Hirose, Y. Hiranaga, and Y. Cho, “Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy Nano-Science and Technology for Next Generation High Density Ferroelectric Data Storage,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 47, no. 5, pp. 3311-3325, May 2008.
• [4] Y. F. Li, Y. Tomizawa, A. Koga, G. Hashiguchi, M. Sugiyama, and H. Fujita, “A Trench-Type Anti-Wear Microprobe with Nano-Scale Electric Contacts for AFM LAO Lithography,” Proc. IEEE Int. Conf. Micro Electro Mechanical Systems - MEMS2011, Cancun, Mexico, pp. 1337-1340, Jan. 2011.
• [5] Y. Tomizawa, Y. Ando, and H. Fujita, “Electric Contact Characteristics at the Nanoscale Probe Tip,” Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers C, vol. 78, no. 786, pp. 267-278, Feb. 2012, In Japanese.

タイトルに関連する用語 (4件)： 耐摩耗 ,  プローブ ,  電気接点 ,  安定性