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J-GLOBAL ID：201302285268745890   整理番号：13A1274332

クロロシラン類の気相反応性の解析

Analysis of the Gas Phase Reactivity of Chlorosilanes

著者 (3件)： RAVASIO Stefano (Politecnico di Milano via Mancinelli 7, Milano, ITA) ,  MASI Maurizio (Politecnico di Milano via Mancinelli 7, Milano, ITA) ,  CAVALLOTTI Carlo (Politecnico di Milano via Mancinelli 7, Milano, ITA)
資料名： Journal of Physical Chemistry A  (Journal of Physical Chemistry A)
巻： 117  号： 25  ページ： 5221-5231  発行年： 2013年06月27日 
JST資料番号： C0334B  ISSN： 1089-5639  CODEN： JPCAFH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリクロロシラン(SiHCl₃)の化学気相堆積(CVD)によるシリコン薄膜形成反応の機構をB3LYP/CCSD(T)法計算で解析した。気相分解反応は表面に形成される活性種に強く影響される。反応経路は2種類あり,既報のジシラン経由反応および本報告で初めて指摘したラジカル連鎖反応である。前者は各素過程の基板表面吸着状態での平衡反応(SiH₂Cl₂生成が主)を経由し,後者は気相中での連鎖反応(SiCl₄生成が主)で進行するが,いずれもジシラン(Si₂HCl₅)が中心的な役割を示した。各過程について遷移状態理論により反応速度定数を求めた。低温では両者が並行するが,高温では気相中のラジカル反応が支配的となった。高温生成したSiCl₄は堆積Si層エッチングを生じるHClを除去する効果があり,高速堆積の重要な中間体であることがわかった。

シソーラス用語： *塩化ケイ素 ,  化学蒸着 ,  半導体薄膜 ,  密度汎関数法 ,  CCSD/T法 ,  ラジカル反応 ,  ジシラン誘導体 ,  遷移状態理論 ,  反応速度定数 ,  *気相反応 ,  界面活性 ,  連鎖反応 ,  *分解反応 ,  反応機構 ,  分子構造 ,  生成熱 ,  反応時間 ,  堆積速度 ,  温度依存性 ,  反応経路
準シソーラス用語： B3LYP法 ,  ジクロロシラン ,  シリコン薄膜 ,  テトラクロロシラン ,  *トリクロロシラン ,  化学気相堆積 ,  ペンタクロロジシラン

分類 (3件)： 非金属化合物  (CD01070R) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無触媒気相反応  (CB06050Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： クロロシラン ,  気相反応 ,  解析