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J-GLOBAL ID：201302285293067669   整理番号：13A0021210

Ag₂O/HF水溶液を用いたSiナノワイヤの作製

著者 (2件)： 加藤優希 (群馬大 大学院工学研究科) ,  安達定雄 (群馬大 大学院工学研究科)
資料名： 群馬大学アドバンスト・テクノロジー高度研究センター年報  (Annual Report of GU-ATEC)
号： 16  ページ： 60-61  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： L6814A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ag₂O/HF水溶液中で化学エッチング法によりSiナノワイヤを作成した。Ag₂O/HF水溶液中にSiウエハを浸漬し化学エッチングした。化学エッチングしたウエハ表面をSEM観察で調べ,分光エリプソメータで擬誘電関数スペクトルを求めた。Ag₂Oの濃度(M)が0.001mol/Lでは表面が荒れるだけであるが,M=0.003mol/Lで部分的にナノワイヤが形成され,M=0.03~0.05では高配向の均一なナノワイヤが生成する。ワイヤ径は~200nmである。展望としては,Siナノワイヤを酸化してSi/SiO₂とし,短波長発光素子の実現を目指す。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *エッチング ,  酸化銀 ,  フッ化水素 ,  濃度依存性 ,  ウエハ【IC】 ,  水溶液 ,  走査電子顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  誘電関数
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  ケイ素ウエハ ,  *シリコンナノワイヤ ,  *化学エッチング

分類 (4件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： HF ,  水溶液 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  作製