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J-GLOBAL ID：201302285480532561   整理番号：13A0735605

三次元階層ナノ構造GeSe₂による高性能屈曲性全固体スーパキャパシタ

Three-Dimensional Hierarchical GeSe₂ Nanostructures for High Performance Flexible All-Solid-State Supercapacitors

著者 (8件)： WANG Xianfu (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  LIU Bin (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  WANG Qiufan (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  SONG Weifeng (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  HOU Xiaojuan (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  CHEN Di (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN) ,  CHENG Yi-Bing (Monash Univ., Victoria, AUS) ,  SHEN Guozhen (Huazhong Univ. Sci. and Technol. (HUST), Wuhan, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 10  ページ： 1479-1486  発行年： 2013年03月13日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラファイト基板上にGeおよびSeの化学蒸着によりGeSe₂ナノ構造を成長させた。X線回折,走査電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。ポリエチレンテレフタレート基板上に金電極/GeSe₂/ポリビニルアルコール-硫酸ゲル電解質/GeSe₂/金電極積層構造のスーパキャパシタを作製した。サイクリックボルタンメトリーにより電流電圧特性および容量電圧特性を測定した。0.1Hz~100kHzにおけるインピーダンススペクトルを測定した。比容量300F/g(1A/g)の高容量で,屈曲性に優れ,1000回の繰返し折曲げ後も初期状態を維持した。平面構造スーパキャパシタとセレン化カドミウムを銀電極により連結した自己駆動素子への応用例を示した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *セレン化物 ,  化学蒸着 ,  階層構造 ,  三次元 ,  ナノ構造 ,  結晶成長 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  基板 ,  金電極 ,  ポリビニルアルコール ,  硫酸 ,  ゲル ,  高分子電解質 ,  *電力コンデンサ ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  インピーダンススペクトル ,  屈曲度 ,  繰返し試験 ,  折曲げ試験 ,  セレン化カドミウム ,  電極
準シソーラス用語： ゲル電解質 ,  *スーパーキャパシタ ,  セレン化ゲルマニウム ,  銀電極 ,  屈曲性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 階層 ,  ナノ構造 ,  GeSe2 ,  屈曲性 ,  全固体 ,  スーパキャパシタ