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J-GLOBAL ID：201302285508529600   整理番号：13A1754194

回転双晶化により誘起された三次元キンク高伝導CoGeナノワイヤ成長

Three-dimensionally kinked high-conducting CoGe nanowire growth induced by rotational twinning

著者 (11件)： YOON Hana (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Si-in (KAIST, Daejeon, KOR) ,  LEE Sunghun (KAIST, Daejeon, KOR) ,  IN Juneho (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Jihwan (KAIST, Daejeon, KOR) ,  RYOO Hyunseong (KAIST, Daejeon, KOR) ,  NOH Jae-Hong (KIST, Seoul, KOR) ,  AHN Jae-Pyoung (KIST, Seoul, KOR) ,  JO Younghun (KBSI, Daejeon, KOR) ,  CHOO Jaebum (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  KIM Bongsoo (KAIST, Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 39  ページ： 6259-6264  発行年： 2013年10月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸気輸送反応により,高誘電率(k値)YSZ(110)基板上に単結晶水平及び自立単斜晶系CoGeナノワイヤ(NW)を合成した。水平NWは基板上にエピタキシャルに成長させ,三次元キンクNWを水平NWの先端からホモエピタキシャルに成長させた。水平NW領域とキンクNW領域間の界面に回転双晶を観測し,良く整合したホモエピタキシャルな関係を確認した。SEMナノマニピュレータを用いたその場測定により,水平NW,三次元キンクNWともに電気抵抗率が低いことを示した。高集積ナノ電子デバイスの有効なオンチップインターコネクト及びナノ電極として,燃料電池のプラットフォームとして,効率の良い触媒としての応用が考えられる。

シソーラス用語： キンク ,  回転 ,  *双晶 ,  *ゲルマニウム合金 ,  *コバルト含有合金 ,  *ナノワイヤ ,  化学輸送 ,  誘電率 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  結晶面 ,  単結晶 ,  水平 ,  独立性 ,  単斜晶系 ,  エピタクシー ,  *電気抵抗率 ,  固体素子 ,  配線 ,  微小電極
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  インタコネクト ,  エピタキシャル成長 ,  ナノ電極 ,  化学蒸気輸送反応 ,  自立 ,  電子デバイス

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘起 ,  キンク ,  伝導 ,  ナノワイヤ ,  成長