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J-GLOBAL ID：201302285638099810   整理番号：13A0143861

Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池のためのNaドープMoターゲットスパッタリング

Na-doped Mo target sputtering for Cu(In,Ga)Se₂ thin film solar cells

著者 (3件)： LIN Y. C. (National Changhua Univ. of Education, Dep. of Mechatronics Engineering, 50007, Changhua, Taiwan) ,  TU Y. Y. (National Changhua Univ. of Education, Dep. of Mechatronics Engineering, 50007, Changhua, Taiwan) ,  SHEN C. H. (National Changhua Univ. of Education, Dep. of Mechatronics Engineering, 50007, Changhua, Taiwan)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 2  ページ： 514-519  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,Moバックコンタクトの底面層としてソーダ石灰ガラス基板上のMo-5%Na薄膜を用いた。その際に大面積Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)電池に応用するためと均一分布を達成するためにスパッタリングプロセスを用いた。今回の結果はMo-5%Na対Mo膜厚みの比率(R%)を0から11%まで増加させると堆積二層Mo膜の結晶性が向上し,したがって,表面ラフネスが増加し抵抗が若干減少することを実証する。セレン化後,最適CIGS結晶特性はR%=8%(ナトリウム濃度=1.57原子%)の時に現れる。二次相は発生せず,ナトリウムの表面および深さ分布は均一であった。Copyright 2012 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  セレン化物 ,  銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  モリブデン ,  ナトリウム ,  *半導体薄膜 ,  *スパッタリング ,  素子構造 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： CIGS太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Ga ,  薄膜太陽電池 ,  Na ,  ドープ ,  Mo ,  ターゲット ,  スパッタリング