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J-GLOBAL ID：201302285646450844   整理番号：13A1684307

第一原理からの現実的遷移金属二カルコゲン化物ヘテロ構造の電子構造と光学的性質

Electronic structures and optical properties of realistic transition metal dichalcogenide heterostructures from first principles

著者 (3件)： KOMSA Hannu-Pekka (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  KRASHENINNIKOV Arkady V. (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  KRASHENINNIKOV Arkady V. (Aalto Univ., Aalto, FIN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 8  ページ： 085318.1-085318.7  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の遷移金属二カルコゲン化物(TMD)ヘテロ構造を第一原理計算によって研究した。採用した計算体系により,無歪系の研究が可能になる。電子構造に関して,Γ点での価電子バンド最大(VBM)がTMD/TMDヘテロ構造の層間相互作用に非常に敏感であることを見出した。その結果,これはVBMがΓ点またはK点のどちらに位置するかを決定する。他方,グラフェンまたはBNによるヘテロ構造はごくわずかな相互作用のみ示した。さらに,MoS₂/WS₂系の光学遷移を計算,解析した。光学的性質は層間相互作用に非常に弱く影響されることが分かった。単一層TMDの新規光学特性は他の層状材料と積層しても大部分は保たれる。

シソーラス用語： 計算 ,  *遷移金属化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  *素子構造 ,  *電子構造 ,  *光学的性質 ,  歪 ,  価電子バンド ,  相互作用 ,  炭素材 ,  窒化ホウ素 ,  硫化モリブデン ,  タングステン化合物 ,  硫化物 ,  電子遷移 ,  単一層 ,  層 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  光学遷移 ,  積層 ,  層間相互作用 ,  第一原理計算

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  光学的性質