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J-GLOBAL ID：201302285704405412   整理番号：13A0322094

層状構造化Ga₃InSe₄の赤外およびRaman散乱スペクトル

Infrared and Raman scattering spectra of layered structured Ga₃InSe₄ crystals

著者 (3件)： ISIK M. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Atilim Univ., 06836 Ankara, TUR) ,  GASANLY N.m. (Dep. of Physics, Middle East Technical Univ., 06800 Ankara, TUR) ,  KORKMAZ F. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Atilim Univ., 06836 Ankara, TUR)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 412  ページ： 61-63  発行年： 2013年03月01日 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *セレン化物 ,  化合物半導体 ,  層状化合物 ,  単結晶 ,  *Bridgman法 ,  *赤外スペクトル ,  反射率 ,  透過率 ,  *Ramanスペクトル
準シソーラス用語： *セレン化インジウムガリウム

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 層状構造 ,  赤外 ,  Raman散乱 ,  スペクトル