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J-GLOBAL ID：201302285747468701   整理番号：13A0820623

グラフェンの超高周波光・電子デバイス応用

著者 (1件)： 尾辻泰一 (東北大 電通研)
資料名： 材料の科学と工学  (Materials Science and Technology of Japan)
巻： 50  号： 2  ページ： 44-49  発行年： 2013年04月20日 
JST資料番号： G0788A  ISSN： 1347-4774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンの光電子デバイス応用に関する最近の研究動向と技術展望について述べた。ブリュアンゾーンのゾーンエッジ付近において,グラフェンの電子・正孔は有効質量の無い相対論的粒子として振る舞い,エネルギーによらず一定のフェルミ速度を有する。このため,通常の半導体とは異なる特異な物性が現れる。グラフェンの各種工業的合成技術の発展とともに,極限高速トランジスタデバイス・プロセス技術,更にはテラヘルツレーザーやプラズモニックデバイス等の応用研究が進められている。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *固体素子 ,  *レーザ ,  *トランジスタ ,  Brillouin帯 ,  キャリア ,  群速度 ,  粒子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 光電子素子 ,  研究動向 ,  高速トランジスタ ,  *テラヘルツレーザ ,  *プラズモニック素子 ,  相対論的粒子 ,  Fermi速度

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体レーザ  (BD04080W) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

引用文献 (47件)：

• NOVOSELOV, K. S. Science. 2004, 306, 666
• GEIM, A. K. Nat. Mat. 2007, 6, 183
• BONACCOSO, F. Nature Photon. 2010, 4, 611
• DE HEER, W. A. Solid. State Comm. 2007, 143, 92
• SUEMITSU, M. J. Phys. D. 2010, 43, 374012

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  超高周波 ,  電子デバイス ,  応用