文献

J-GLOBAL ID：201302285832160384   整理番号：13A0052700

600nmのAlGaInP発光ダイオードからの光抽出効率の向上に対するナノサイズNi粒子構造の効果

Effects of Nanosized Ni Particle Structure on the Enhancement of Light Extraction from 600nm AlGaInP Light-Emitting Diodes

著者 (5件)： LEE Hyung Joo (AUK Corp., Jeonbuk, KOR) ,  LEE Hyung Joo (Wonkwang Univ., Jeonbuk, KOR) ,  CASTRO Edward Joseph D. (Wonkwang Univ., Jeonbuk, KOR) ,  KIM Jae Hoon (Wonkwang Univ., Jeonbuk, KOR) ,  LEE Choong Hun (Wonkwang Univ., Jeonbuk, KOR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 12  ページ： 122102.1-122102.3  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600nmのAlGaInP発光ダイオード(LEDs)の光抽出効率へのNi粒子構造の効果に関して報告する。Ni膜をリン化ガリウム(GaP)層の上に成長し,表面の形態はアンモニア(NH₃)プラズマエッチング過程で向上し,平均10nmのサイズのNi粒子が形成された。Ni粒子を有するAlGaInP LEDは,従来のAlGaInP LEDsと比べて,75%の光抽出効率,及び112.5%の放出強度の増加を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *リン化物 ,  *発光ダイオード ,  *効率 ,  *ナノ粒子 ,  リン化ガリウム ,  形態 ,  表面構造
準シソーラス用語： *AlGaInP ,  *ニッケルナノ粒子 ,  *光抽出効率 ,  表面形態

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (33件)：

• SCHUBERT, E. F. Light-Emitting Diodes. 2006, 19, 168, 186
• KRAMES, M. R. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2002, 8, 185
• CHANG, C. S. IEEE J. Quantum Electron. 1998, 34, 77
• KIM, K. S. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 061113
• KIM, T. K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 161107

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaInP ,  発光ダイオード ,  光抽出効率 ,  ナノサイズ ,  Ni